Справочник MOSFET. LPL4459

 

LPL4459 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LPL4459
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 33.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: SOP-8
 

 Аналог (замена) для LPL4459

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LPL4459 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:640K  lonten
 lpl4459.pdf pdf_icon

LPL4459

LPL4459 Lonten P-channel -30V, -6.5A, 46m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 46m technology. This advanced technology has been ID -6.5A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

Другие MOSFET... LNN04R075 , LNN06R062 , LNN06R140 , LNND04R120 , LNSA3400 , LNSC2302 , LNSC3400 , LNU2N65 , STP65NF06 , LPSA3481 , LPSA3487 , LPSC2301 , LPSC3481 , LPSC3487 , LSB55R050GT , LSB55R066GT , LSB55R140GF .

History: 5N65G-TN3-R | FDMA86108LZ | AOI600A60 | CJP10N65

 

 
Back to Top

 


 
.