LPL4459 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: LPL4459
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.9 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6.5 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 33.2 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
Тип корпуса: SOP-8
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
LPL4459 Datasheet (PDF)
lpl4459.pdf

LPL4459 Lonten P-channel -30V, -6.5A, 46m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 46m technology. This advanced technology has been ID -6.5A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand
Другие MOSFET... FMM50-025TF , FMM60-02TF , FMM75-01F , FMP26-02P , FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , 5N60 , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , GMM3x180-004X2-SMD , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL .
History: HAT2210R | P0804BD



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
jcs50n20wt | 2sa1360 | p60nf06 datasheet | 2sc4468 | ru6888r | 2sc1815y | ktc3964 | s9013 transistor equivalent