LPSA3487 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LPSA3487
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.3 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 31.1 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 103 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.046 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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LPSA3487 datasheet
lpsa3487.pdf
LPSA3487 Lonten P-channel -30V, -4.3A, 46m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field V DSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 46m technology. This advanced technology has been I D -4.3A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand
lpsa3481.pdf
LPSA3481 Lonten P-channel -30V, -4.0A, 50m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field V DSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 50m technology. This advanced technology has been I D -4.0A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand
Otros transistores... LNN06R140 , LNND04R120 , LNSA3400 , LNSC2302 , LNSC3400 , LNU2N65 , LPL4459 , LPSA3481 , IRLB3034 , LPSC2301 , LPSC3481 , LPSC3487 , LSB55R050GT , LSB55R066GT , LSB55R140GF , LSB55R140GT , LSB60R030HT .
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