Справочник MOSFET. LPSA3487

 

LPSA3487 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LPSA3487
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.3 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 31.1 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 103 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.046 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для LPSA3487

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LPSA3487 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:633K  lonten
 lpsa3487.pdf pdf_icon

LPSA3487

LPSA3487 Lonten P-channel -30V, -4.3A, 46m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 46m technology. This advanced technology has been ID -4.3A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

 7.1. Size:645K  lonten
 lpsa3481.pdf pdf_icon

LPSA3487

LPSA3481 Lonten P-channel -30V, -4.0A, 50m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 50m technology. This advanced technology has been ID -4.0A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

Другие MOSFET... LNN06R140 , LNND04R120 , LNSA3400 , LNSC2302 , LNSC3400 , LNU2N65 , LPL4459 , LPSA3481 , 60N06 , LPSC2301 , LPSC3481 , LPSC3487 , LSB55R050GT , LSB55R066GT , LSB55R140GF , LSB55R140GT , LSB60R030HT .

History: 5N65G-TF3-T

 

 
Back to Top

 


 
.