LPSC3481 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LPSC3481
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 12 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 30.2 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.05 Ohm
Encapsulados: SOT-23
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LPSC3481 datasheet
lpsc3481.pdf
LPSC3481 Lonten P-channel -30V, -4.0A, 50m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field V DSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 50m technology. This advanced technology has been I D -4.0A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand
lpsc3487.pdf
LPSC3487 Lonten P-channel -30V, -4.3A, 46m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field V DSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 46m technology. This advanced technology has been I D -4.3A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand
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History: AGM4005LLM1
History: AGM4005LLM1
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