Справочник MOSFET. LPSC3481

 

LPSC3481 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LPSC3481
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 12 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.05 Ohm
   Тип корпуса: SOT-23
 

 Аналог (замена) для LPSC3481

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LPSC3481 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:658K  lonten
 lpsc3481.pdf pdf_icon

LPSC3481

LPSC3481 Lonten P-channel -30V, -4.0A, 50m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 50m technology. This advanced technology has been ID -4.0A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

 7.1. Size:633K  lonten
 lpsc3487.pdf pdf_icon

LPSC3481

LPSC3487 Lonten P-channel -30V, -4.3A, 46m Power MOSFET Description Product Summary These P-Channel enhancement mode power field VDSS -30V effect transistors are using trench DMOS R GS DS(on).max@ V =-10V 46m technology. This advanced technology has been ID -4.3A especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with stand

Другие MOSFET... LNSA3400 , LNSC2302 , LNSC3400 , LNU2N65 , LPL4459 , LPSA3481 , LPSA3487 , LPSC2301 , 8N60 , LPSC3487 , LSB55R050GT , LSB55R066GT , LSB55R140GF , LSB55R140GT , LSB60R030HT , LSB60R039GT , LSB60R066GT .

History: PDC3801R | SWB042R10ES | AM7304N | NCEP6060GU | P6006BI | UTT40P04 | SPP15N65C3

 

 
Back to Top

 


 
.