LSB80R350GT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LSB80R350GT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 160 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 37 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 42 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.35 Ohm
Encapsulados: TO-247
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LSB80R350GT datasheet
lsb80r350gt lsc80r350gt lsd80r350gt lse80r350gt lsf80r350gt.pdf
LSB80R350GT /LSC80R350GT/LSD80R350GT/LSE80R350GT/LSF80R350GT LonFET Lonten N-channel 800V, 15A, 0.35 LonFETTM Power MOSFET Description Product Summary LonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850V DS j,max advanced super junction technology. The R 0.35 DS(on),max resulting device has extremely low on resistance, I 45A DM making it especially suitable for applications which
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History: AP8N8R0H
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