LSB80R350GT - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: LSB80R350GT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 160 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 37 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 42 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для LSB80R350GT
LSB80R350GT Datasheet (PDF)
lsb80r350gt lsc80r350gt lsd80r350gt lse80r350gt lsf80r350gt.pdf

LSB80R350GT /LSC80R350GT/LSD80R350GT/LSE80R350GT/LSF80R350GTLonFETLonten N-channel 800V, 15A, 0.35 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The R 0.35DS(on),maxresulting device has extremely low on resistance, I 45ADMmaking it especially suitable for applications which
Другие MOSFET... LSB65R070GF , LSB65R099GF , LSB65R099GT , LSB65R125HT , LSB65R180GF , LSB65R180GT , LSB65R180HT , LSB65R380HT , IRF3710 , LSC55R140GF , LSC55R140GT , LSC60R105HF , LSC60R125HT , LSC60R180HT , LSC60R280HT , LSC60R290HF , LSC60R650HT .
History: LSB65R099GT | LSB65R380HT
History: LSB65R099GT | LSB65R380HT



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP50N20MP | AP50N10P | AP50N10D | AP50N06NF | AP50N06D | AP50N05D | AP50N04D | AP50N03DF | AP50N03D | AP50N03AD | AP50H06NF | AP50G03GD | AP4P05MI | AP4N15MI | AP4N10MI | AP2320MI
Popular searches
oc44 datasheet | 2sa70 | 2sa706 | 2sc539 | 2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175