LSB80R350GT MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: LSB80R350GT
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 160 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 800 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4.5 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 15 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 39 nC
Время нарастания (tr): 37 ns
Выходная емкость (Cd): 42 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.35 Ohm
Тип корпуса: TO-247
Аналог (замена) для LSB80R350GT
LSB80R350GT Datasheet (PDF)
..1. Size:1197K lonten
lsb80r350gt lsc80r350gt lsd80r350gt lse80r350gt lsf80r350gt.pdf
lsb80r350gt lsc80r350gt lsd80r350gt lse80r350gt lsf80r350gt.pdf
LSB80R350GT /LSC80R350GT/LSD80R350GT/LSE80R350GT/LSF80R350GTLonFETLonten N-channel 800V, 15A, 0.35 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 850VDS j,maxadvanced super junction technology. The R 0.35DS(on),maxresulting device has extremely low on resistance, I 45ADMmaking it especially suitable for applications which
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
