LSD50R160HT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LSD50R160HT
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 33.2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
Carga de la puerta (Qg): 19 nC
Tiempo de subida (tr): 34.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 46.3 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.16 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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LSD50R160HT Datasheet (PDF)
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LSD50R160HT/LSG50R160HT/LSH50R160HT/LSF50R160HT/LSE50R160HTLonFETLonten N-channel 500V, 20A, 0.16 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 550VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.16DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 60ADMespecially suitable for applications which r
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