LSD50R160HT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: LSD50R160HT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 19 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 34.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46.3 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET LSD50R160HT

LSD50R160HT Datasheet (PDF)

..1. Size:1107K lonten
lsd50r160ht lsg50r160ht lsh50r160ht lsf50r160ht lse50r160ht.pdf

LSD50R160HT/LSG50R160HT/LSH50R160HT/LSF50R160HT/LSE50R160HTLonFETLonten N-channel 500V, 20A, 0.16 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 550VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.16DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 60ADMespecially suitable for applications which r

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , IRLB4132 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: