LSD50R160HT Todos los transistores

LSD50R160HT MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LSD50R160HT

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 33.2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 34.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 46.3 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.16 Ohm

Encapsulados: TO-220F

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros