Справочник MOSFET. LSD50R160HT

 

LSD50R160HT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSD50R160HT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 33.2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 46.3 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.16 Ohm
   Тип корпуса: TO-220F
 

 Аналог (замена) для LSD50R160HT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSD50R160HT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1107K  lonten
 lsd50r160ht lsg50r160ht lsh50r160ht lsf50r160ht lse50r160ht.pdf pdf_icon

LSD50R160HT

LSD50R160HT/LSG50R160HT/LSH50R160HT/LSF50R160HT/LSE50R160HTLonFETLonten N-channel 500V, 20A, 0.16 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 550VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.16DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 60ADMespecially suitable for applications which r

Другие MOSFET... LSC65R380HT , LSC65R570GT , LSC65R650HT , LSC70R380GT , LSC70R640GT , LSC80R350GT , LSC80R680GT , LSC80R980GT , IRFB3607 , LSD55R066GT , LSD55R140GF , LSD55R140GT , LSD60R070HT , LSD60R092GF , LSD60R092GT , LSD60R099HT , LSD60R105HF .

History: FXN9N90P | TPCA8A09-H | CEB30N3 | TF68N80 | DMG3413L | IPB083N10N3G | STL9N60M2

 

 
Back to Top

 


 
.