STP20N10 Todos los transistores

 

STP20N10 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP20N10

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 105 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 20 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 75 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 200 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: TO220

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STP20N10 datasheet

 ..1. Size:343K  st
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STP20N10

STP20N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP20N10 100 V

 0.1. Size:379K  st
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STP20N10

STP20N10L STP20N10LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP20N10L 100 V

 0.2. Size:140K  st
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STP20N10

STP20N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP20N10 100 V

 0.3. Size:260K  inchange semiconductor
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STP20N10

isc N-Channel MOSFET Transistor STP20N10L FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

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Otros transistores... STP18N10 , STP18N10FI , STP19N06 , STP19N06FI , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , 5N65 , STP20N10FI , STP20N10L , STP20N10LFI , STP21N05L , STP21N05LFI , STP21N06L , STP21N06LFI , STP25N05 .

History: STD12N05L

 

 

 


 
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