Справочник MOSFET. STP20N10

 

STP20N10 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STP20N10
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 105 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 30 nC
   Время нарастания (tr): 75 ns
   Выходная емкость (Cd): 200 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
   Тип корпуса: TO220

 Аналог (замена) для STP20N10

 

 

STP20N10 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  st
 stp20n10.pdf

STP20N10 STP20N10

STP20N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20N10 100 V

 0.1. Size:379K  st
 stp20n10l.pdf

STP20N10 STP20N10

STP20N10LSTP20N10LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20N10L 100 V

 0.2. Size:140K  st
 stp20n10-.pdf

STP20N10 STP20N10

STP20N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP20N10 100 V

 0.3. Size:260K  inchange semiconductor
 stp20n10l.pdf

STP20N10 STP20N10

isc N-Channel MOSFET Transistor STP20N10LFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

Другие MOSFET... STP18N10 , STP18N10FI , STP19N06 , STP19N06FI , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , IRFP260 , STP20N10FI , STP20N10L , STP20N10LFI , STP21N05L , STP21N05LFI , STP21N06L , STP21N06LFI , STP25N05 .

 

 
Back to Top