LSDN55R140GT Todos los transistores

 

LSDN55R140GT MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LSDN55R140GT
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 34 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 23 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 40 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 27 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 76.2 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.14 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220NF
 

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LSDN55R140GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1088K  lonten
 lsdn55r140gt.pdf pdf_icon

LSDN55R140GT

LSDN55R140GTLonFETLonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.14DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 69ADMespecially suitable for applications which require Q 40nCg,typsuperior power density an

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History: AO4854

 

 
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