Справочник MOSFET. LSDN55R140GT

 

LSDN55R140GT Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSDN55R140GT
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 34 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 550 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 23 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 27 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 76.2 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.14 Ohm
   Тип корпуса: TO-220NF
 

 Аналог (замена) для LSDN55R140GT

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSDN55R140GT Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1088K  lonten
 lsdn55r140gt.pdf pdf_icon

LSDN55R140GT

LSDN55R140GTLonFETLonten N-channel 550V, 23A, 0.14 LonFETTM Power MOSFETDescription Product SummaryLonFETTM Power MOSFET is fabricated using V @ T 600VDS j,maxadvanced super junction technology. The resulting R 0.14DS(on),maxdevice has extremely low on resistance, making it I 69ADMespecially suitable for applications which require Q 40nCg,typsuperior power density an

Другие MOSFET... LSD70R1KGT , LSD70R380GT , LSD70R450GT , LSD70R640GT , LSD80R2K8GT , LSD80R350GT , LSD80R680GT , LSD80R980GT , IRF1405 , LSDN60R950HT , LSDN65R380GT , LSDN65R380HT , LSDN65R650HT , LSDN65R950HT , LSE50R160HT , LSE55R066GT , LSE55R140GF .

History: BL4N150-B | 2SK578 | SVS14N65SD2TR | TPCA8008-H | CS5N65A3 | GSM6424 | NCE70N900I

 

 
Back to Top

 


 
.