STP20N10LFI Todos los transistores

 

STP20N10LFI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP20N10LFI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 140 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 250 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm

Encapsulados: ISOWATT220

 Búsqueda de reemplazo de STP20N10LFI MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

STP20N10LFI datasheet

 5.1. Size:379K  st
 stp20n10l.pdf pdf_icon

STP20N10LFI

STP20N10L STP20N10LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP20N10L 100 V

 5.2. Size:260K  inchange semiconductor
 stp20n10l.pdf pdf_icon

STP20N10LFI

isc N-Channel MOSFET Transistor STP20N10L FEATURES With TO-220 packaging High speed switching Easy to use 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS Power supply DC-DC converters Motor control Switching applications ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25 ) a SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT V

 6.1. Size:343K  st
 stp20n10.pdf pdf_icon

STP20N10LFI

STP20N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP20N10 100 V

 6.2. Size:140K  st
 stp20n10-.pdf pdf_icon

STP20N10LFI

STP20N10 N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP20N10 100 V

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... STP19N06FI , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , STP20N10L , AON6380 , STP21N05L , STP21N05LFI , STP21N06L , STP21N06LFI , STP25N05 , STP25N05FI , STP25N06 , STP25N06FI .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.