STP20N10LFI - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

STP20N10LFI MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: STP20N10LFI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 40 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 15 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12 A
   Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 22 nC
   Время нарастания (tr): 140 ns
   Выходная емкость (Cd): 250 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.12 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220

Аналог (замена) для STP20N10LFI

STP20N10LFI Datasheet (PDF)

5.1. Size:379K st
stp20n10l.pdf

STP20N10LSTP20N10LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20N10L 100 V

5.2. Size:260K inchange semiconductor
stp20n10l.pdf

isc N-Channel MOSFET Transistor STP20N10LFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

6.1. Size:343K st
stp20n10.pdf