STP20N10LFI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP20N10LFI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 140 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 250 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STP20N10LFI Datasheet (PDF)
stp20n10l.pdf
STP20N10LSTP20N10LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODELOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20N10L 100 V
stp20n10l.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor STP20N10LFEATURESWith TO-220 packagingHigh speed switchingEasy to use100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSPower supplyDC-DC convertersMotor controlSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV
stp20n10.pdf
STP20N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP20N10 100 V
stp20n10-.pdf
STP20N10N - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP20N10 100 V
Другие MOSFET... STP19N06FI , STP19N06L , STP19N06LFI , STP20N06 , STP20N06FI , STP20N10 , STP20N10FI , STP20N10L , P60NF06 , STP21N05L , STP21N05LFI , STP21N06L , STP21N06LFI , STP25N05 , STP25N05FI , STP25N06 , STP25N06FI .
History: DMN3052LSS | FHF630A
History: DMN3052LSS | FHF630A
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
c5200 datasheet | 2n2614 | 2sa777 replacement | 2sc828 transistor | 2sd357 | 110n8f6 mosfet datasheet | 2sc458 datasheet | irfz48