LSGD10R080W3 Todos los transistores

 

LSGD10R080W3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LSGD10R080W3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 80 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 453 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.008 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220F
 

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LSGD10R080W3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:912K  lonten
 lsgc10r080w3 lsgd10r080w3 lsge10r080w3.pdf pdf_icon

LSGD10R080W3

LSGC10R080W3/LSGD10R080W3/LSGE10R080W3Lonten N-channel 100V, 80A, 8m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8mtechnology. This advanced technology has been I 80ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching perform

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History: BUK9606-75B | 2SK818A | TSF16N65MR | 2SJ492 | 24NM60G-TQ2-T | APM4317K | STQ3NK50ZR-AP

 

 
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