LSGD10R080W3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LSGD10R080W3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 48 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 80 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 63 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 453 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.008 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-220F
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LSGD10R080W3 Datasheet (PDF)
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LSGC10R080W3/LSGD10R080W3/LSGE10R080W3Lonten N-channel 100V, 80A, 8m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8mtechnology. This advanced technology has been I 80ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching perform
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