LSGD10R080W3 - описание и поиск аналогов

 

LSGD10R080W3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSGD10R080W3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 80 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.008 Ohm

Тип корпуса: TO-220F

Аналог (замена) для LSGD10R080W3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSGD10R080W3 даташит

 ..1. Size:912K  lonten
 lsgc10r080w3 lsgd10r080w3 lsge10r080w3.pdf pdf_icon

LSGD10R080W3

LSGC10R080W3/LSGD10R080W3/LSGE10R080W3 Lonten N-channel 100V, 80A, 8m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8m technology. This advanced technology has been I 80A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perform

Другие MOSFET... LSGC04R029 , LSGC04R035 , LSGC06R034W3 , LSGC085R041W3 , LSGC085R065W3 , LSGC10R080W3 , LSGC15R085W3 , LSGD04R035 , IRLB3034 , LSGE04R035 , LSGE06R034W3 , LSGE085R041W3 , LSGE085R065W3 , LSGE10R080W3 , LSGE15R085W3 , LSGG03R020 , LSGG04R028 .

History: TSM7N65CZ | TSM8N80CI | HM4630D

 

 

 

 

↑ Back to Top
.