LSGE15R085W3 Todos los transistores

 

LSGE15R085W3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: LSGE15R085W3

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 227 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 150 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 107 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 512 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm

Encapsulados: TO-263

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LSGE15R085W3 datasheet

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LSGE15R085W3

LSGC15R085W3 LSGE15R085W3 Lonten N-channel 150V, 120A, 8.5m Power MOSFET Features Product Summary m 150V,120 A,R =8.5 @ V =10V DS(ON).max GS VDS 150V Improved dv/dt capability RDS(on) 7m Fast switching I D 120A 100% EAS Guaranteed Green device available Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche

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LSGE15R085W3

LSGC10R080W3/LSGD10R080W3/LSGE10R080W3 Lonten N-channel 100V, 80A, 8m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8m technology. This advanced technology has been I 80A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perform

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History: HM2301B | LSGE085R065W3

 

 

 

 

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