Справочник MOSFET. LSGE15R085W3

 

LSGE15R085W3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSGE15R085W3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 512 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-263
 

 Аналог (замена) для LSGE15R085W3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSGE15R085W3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:797K  lonten
 lsgc15r085w3 lsge15r085w3.pdf pdf_icon

LSGE15R085W3

LSGC15R085W3\LSGE15R085W3Lonten N-channel 150V, 120A, 8.5m Power MOSFETFeatures Product Summarym 150V,120 A,R =8.5 @ V =10VDS(ON).max GS VDS 150V Improved dv/dt capabilityRDS(on) 7m Fast switchingID 120A 100% EAS Guaranteed Green device availableApplications Motor control and drive100% Avalanche Tested100% Avalanche Tested100% Avalanche

 9.1. Size:912K  lonten
 lsgc10r080w3 lsgd10r080w3 lsge10r080w3.pdf pdf_icon

LSGE15R085W3

LSGC10R080W3/LSGD10R080W3/LSGE10R080W3Lonten N-channel 100V, 80A, 8m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8mtechnology. This advanced technology has been I 80ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching perform

Другие MOSFET... LSGC15R085W3 , LSGD04R035 , LSGD10R080W3 , LSGE04R035 , LSGE06R034W3 , LSGE085R041W3 , LSGE085R065W3 , LSGE10R080W3 , MMD60R360PRH , LSGG03R020 , LSGG04R028 , LSGG04R029 , LSGG04R035 , LSGG06R034W3 , LSGG06R098W3 , LSGG08R060W3 , LSGG10R085W3 .

History: 2SK2541 | KO6401-HF | HY029N10P

 

 
Back to Top

 


 
.