LSGE15R085W3 - описание и поиск аналогов

 

LSGE15R085W3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSGE15R085W3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 227 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 107 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 512 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-263

Аналог (замена) для LSGE15R085W3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSGE15R085W3 даташит

 ..1. Size:797K  lonten
 lsgc15r085w3 lsge15r085w3.pdf pdf_icon

LSGE15R085W3

LSGC15R085W3 LSGE15R085W3 Lonten N-channel 150V, 120A, 8.5m Power MOSFET Features Product Summary m 150V,120 A,R =8.5 @ V =10V DS(ON).max GS VDS 150V Improved dv/dt capability RDS(on) 7m Fast switching I D 120A 100% EAS Guaranteed Green device available Applications Motor control and drive 100% Avalanche Tested 100% Avalanche Tested 100% Avalanche

 9.1. Size:912K  lonten
 lsgc10r080w3 lsgd10r080w3 lsge10r080w3.pdf pdf_icon

LSGE15R085W3

LSGC10R080W3/LSGD10R080W3/LSGE10R080W3 Lonten N-channel 100V, 80A, 8m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ VGS=10V 8m technology. This advanced technology has been I 80A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching perform

Другие MOSFET... LSGC15R085W3 , LSGD04R035 , LSGD10R080W3 , LSGE04R035 , LSGE06R034W3 , LSGE085R041W3 , LSGE085R065W3 , LSGE10R080W3 , RU7088R , LSGG03R020 , LSGG04R028 , LSGG04R029 , LSGG04R035 , LSGG06R034W3 , LSGG06R098W3 , LSGG08R060W3 , LSGG10R085W3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.