LSGH10R085W3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LSGH10R085W3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 96 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 65 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.2 V
Carga de la puerta (Qg): 45 nC
Tiempo de subida (tr): 63 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 453 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: TO-251
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LSGH10R085W3 Datasheet (PDF)
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LSGG10R085W3\LSGH10R085W3Lonten N-channel 100V, 65A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS R GSDS(on).max@ V =10V 8.5mtechnology. This advanced technology has been I 65ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance,
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