LSGH10R085W3 - описание и поиск аналогов

 

LSGH10R085W3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSGH10R085W3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: TO-251

Аналог (замена) для LSGH10R085W3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSGH10R085W3 даташит

 ..1. Size:795K  lonten
 lsgg10r085w3 lsgh10r085w3.pdf pdf_icon

LSGH10R085W3

LSGG10R085W3 LSGH10R085W3 Lonten N-channel 100V, 65A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R GS DS(on).max@ V =10V 8.5m technology. This advanced technology has been I 65A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance,

Другие MOSFET... LSGG06R034W3 , LSGG06R098W3 , LSGG08R060W3 , LSGG10R085W3 , LSGH04R028 , LSGH04R029 , LSGH04R035 , LSGH08R060W3 , IRF540N , LSGN03R020 , LSGN04R025 , LSGN04R029 , LSGN04R035 , LSGN06R034W3 , LSGN06R098W3 , LSGN085R065W3 , LSGN10R085W3 .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.