Справочник MOSFET. LSGH10R085W3

 

LSGH10R085W3 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: LSGH10R085W3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 45 nC
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: TO-251

 Аналог (замена) для LSGH10R085W3

 

 

LSGH10R085W3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  lonten
 lsgg10r085w3 lsgh10r085w3.pdf

LSGH10R085W3 LSGH10R085W3

LSGG10R085W3\LSGH10R085W3Lonten N-channel 100V, 65A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS R GSDS(on).max@ V =10V 8.5mtechnology. This advanced technology has been I 65ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance,

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRFB3607 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top