LSGN10R085W3 Todos los transistores

 

LSGN10R085W3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: LSGN10R085W3
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 453 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
   Paquete / Cubierta: PPAK5X6
 

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LSGN10R085W3 Datasheet (PDF)

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LSGN10R085W3

LSGN10R085W3Lonten N-channel 100V, 60A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 60ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withs

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LSGN10R085W3

LSGN10R085W3Lonten N-channel 100V, 60A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 60ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withs

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History: AP5521GH-HF | AP3P9R0I | 2SK3565

 

 
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