LSGN10R085W3 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LSGN10R085W3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 453 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Encapsulados: PPAK5X6
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LSGN10R085W3 datasheet
lsgn10r085w3.pdf
LSGN10R085W3 Lonten N-channel 100V, 60A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 8.5m GS technology. This advanced technology has been I 60A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with s
lsgn10r085w3.pdf
LSGN10R085W3 Lonten N-channel 100V, 60A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 8.5m GS technology. This advanced technology has been I 60A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with s
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History: BUK6246-75C
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