LSGN10R085W3 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: LSGN10R085W3
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 96 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 63 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 453 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0085 Ohm
Paquete / Cubierta: PPAK5X6
Búsqueda de reemplazo de LSGN10R085W3 MOSFET
LSGN10R085W3 Datasheet (PDF)
lsgn10r085w3.pdf
LSGN10R085W3Lonten N-channel 100V, 60A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 60ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withs
lsgn10r085w3.pdf
LSGN10R085W3Lonten N-channel 100V, 60A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 60ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withs
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History: BUK9609-40B | 7N65KL-TA3-T | MDP13N50GTH | SDF1NA60JAA | NCE6010J | DH400P06I
History: BUK9609-40B | 7N65KL-TA3-T | MDP13N50GTH | SDF1NA60JAA | NCE6010J | DH400P06I
Liste
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