Справочник MOSFET. LSGN10R085W3

 

LSGN10R085W3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSGN10R085W3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: PPAK5X6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

LSGN10R085W3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:856K  1
 lsgn10r085w3.pdf pdf_icon

LSGN10R085W3

LSGN10R085W3Lonten N-channel 100V, 60A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 60ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withs

 ..2. Size:856K  lonten
 lsgn10r085w3.pdf pdf_icon

LSGN10R085W3

LSGN10R085W3Lonten N-channel 100V, 60A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 60ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withs

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AFP7617WS | FDC654P | OSG55R074HSZF | PNMET20V06E | 2SK1501 | BUK9226-75A | SPD04N60C3

 

 
Back to Top

 


 
.