Справочник MOSFET. LSGN10R085W3

 

LSGN10R085W3 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: LSGN10R085W3
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm
   Тип корпуса: PPAK5X6
 

 Аналог (замена) для LSGN10R085W3

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSGN10R085W3 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:856K  1
 lsgn10r085w3.pdf pdf_icon

LSGN10R085W3

LSGN10R085W3Lonten N-channel 100V, 60A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 60ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withs

 ..2. Size:856K  lonten
 lsgn10r085w3.pdf pdf_icon

LSGN10R085W3

LSGN10R085W3Lonten N-channel 100V, 60A, 8.5m Power MOSFETDescription Product SummaryThese N-Channel enhancement mode power field V 100VDSSeffect transistors are using split gate trench DMOS RDS(on).max@ V =10V 8.5mGStechnology. This advanced technology has been I 60ADespecially tailored to minimize on-state resistance,provide superior switching performance, and withs

Другие MOSFET... LSGH10R085W3 , LSGN03R020 , LSGN04R025 , LSGN04R029 , LSGN04R035 , LSGN06R034W3 , LSGN06R098W3 , LSGN085R065W3 , IRF640N , LSH50R160HT , LSH60R1K4HT , LSH60R240HT , LSH60R280HT , LSH60R290HF , LSH60R2K5HT , LSH60R380HT , LSH60R650HT .

History: AP4P013LES | AON6414AL | TP2104N3 | BUK7M9R9-60E | PMV185XN | MDP13N50GTH | SVF3N80D

 

 
Back to Top

 


 
.