LSGN10R085W3 - описание и поиск аналогов

 

LSGN10R085W3. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: LSGN10R085W3

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 96 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 63 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 453 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0085 Ohm

Тип корпуса: PPAK5X6

Аналог (замена) для LSGN10R085W3

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

LSGN10R085W3 даташит

 ..1. Size:856K  1
 lsgn10r085w3.pdf pdf_icon

LSGN10R085W3

LSGN10R085W3 Lonten N-channel 100V, 60A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 8.5m GS technology. This advanced technology has been I 60A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with s

 ..2. Size:856K  lonten
 lsgn10r085w3.pdf pdf_icon

LSGN10R085W3

LSGN10R085W3 Lonten N-channel 100V, 60A, 8.5m Power MOSFET Description Product Summary These N-Channel enhancement mode power field V 100V DSS effect transistors are using split gate trench DMOS R DS(on).max@ V =10V 8.5m GS technology. This advanced technology has been I 60A D especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and with s

Другие MOSFET... LSGH10R085W3 , LSGN03R020 , LSGN04R025 , LSGN04R029 , LSGN04R035 , LSGN06R034W3 , LSGN06R098W3 , LSGN085R065W3 , IRFB4110 , LSH50R160HT , LSH60R1K4HT , LSH60R240HT , LSH60R280HT , LSH60R290HF , LSH60R2K5HT , LSH60R380HT , LSH60R650HT .

History: IRFSL7530PBF

 

 

 

 

↑ Back to Top
.