AO4812-MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: AO4812-MS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 2.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8

Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4812-MS

AO4812-MS Datasheet (PDF)

..1. Size:1405K msksemi
ao4812-ms.pdf

www.msksemi.comAO4812-MSSemiconductor CompianceD1ProductD1D2SummaryD230VVDSI (at V =10V) 6AD GSS1G1R (at V =10V)

8.1. Size:255K aosemi
ao4812.pdf

AO481230V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4812 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs ID (at VGS=10V) 6Amake a compact and efficient switch and synchronous RDS(ON) (at VGS=10V)

8.2. Size:1097K kexin
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SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4812 (KO4812)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 6A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 30m (VGS = 10V) RDS(ON) 42m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D1 D2G1 G2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gate-So

8.3. Size:851K cn vbsemi
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AO4812www.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box L

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Liste

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