AO4812-MS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: AO4812-MS
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 2 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 6 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 5.2 nC
Tiempo de subida (tr): 2.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.03 Ohm
Paquete / Cubierta: SOP8
Búsqueda de reemplazo de MOSFET AO4812-MS
AO4812-MS Datasheet (PDF)
ao4812-ms.pdf
www.msksemi.comAO4812-MSSemiconductor CompianceD1ProductD1D2SummaryD230VVDSI (at V =10V) 6AD GSS1G1R (at V =10V)
ao4812.pdf
AO481230V Dual N-Channel MOSFETGeneral Description Product SummaryVDS30VThe AO4812 uses advanced trench technology to provideexcellent RDS(ON) and low gate charge. The two MOSFETs ID (at VGS=10V) 6Amake a compact and efficient switch and synchronous RDS(ON) (at VGS=10V)
ao4812.pdf
SMD Type MOSFETDual N-Channel MOSFETAO4812 (KO4812)SOP-8 Unit:mm Features VDS (V) = 30V ID = 6A (VGS = 10V)1.50 0.15 RDS(ON) 30m (VGS = 10V) RDS(ON) 42m (VGS = 4.5V)1 S2 5 D1 6 D12 G27 D23 S18 D24 G1D1 D2G1 G2S1 S2 Absolute Maximum Ratings Ta = 25Parameter Symbol Rating Unit Drain-Source Voltage VDS 30V Gate-So
ao4812.pdf
AO4812www.VBsemi.twDual N-Channel 30-V (D-S) MOSFETFEATURESPRODUCT SUMMARY Halogen-free According to IEC 61249-2-21VDS (V) RDS(on) ()ID (A) Qg (Typ.)Definition0.022 at VGS = 10 V TrenchFET Power MOSFET6.830 15 nC 100 % UIS Tested0.026 at VGS = 4.5 V 6.0 100 % Rg Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/ECAPPLICATIONS Set Top Box L
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