MEM4N60THG MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: MEM4N60THG
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 41 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 600 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 15.6 nC
   Tiempo de subida (tr): 13.2 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 92.1 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 2.3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO251

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MEM4N60THG Datasheet (PDF)

..1. Size:722K microne
mem4n60thdg mem4n60thg mem4n60k3g mem4n60a3g.pdf

MEM4N60 N-CHANNEL POWER MOSFET MEM4N60 General Description Features 600V4A Switching regulator application. RDS(ON)=2.3@VGS=10V High voltage and high speed. LOW CRSS Switching application. FAST SWITCHING PACKAGE :TO251,TO251S,TO252,TO-220F Pin Configuration MEM4N60THDG MEM4N60THG MEM4N60K3G MEM4N60A3G Maximum Ratings (Ta=25) P

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: