Справочник MOSFET. MEM4N60THG

 

MEM4N60THG Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MEM4N60THG
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 13.2 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 92.1 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.3 Ohm
   Тип корпуса: TO251
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MEM4N60THG Datasheet (PDF)

 ..1. Size:722K  microne
 mem4n60thdg mem4n60thg mem4n60k3g mem4n60a3g.pdf pdf_icon

MEM4N60THG

MEM4N60 N-CHANNEL POWER MOSFET MEM4N60 General Description Features 600V4A Switching regulator application. RDS(ON)=2.3@VGS=10V High voltage and high speed. LOW CRSS Switching application. FAST SWITCHING PACKAGE :TO251,TO251S,TO252,TO-220F Pin Configuration MEM4N60THDG MEM4N60THG MEM4N60K3G MEM4N60A3G Maximum Ratings (Ta=25) P

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SK455 | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | DH1K1N10D | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.