TN0106 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TN0106
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 125 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TN0106

TN0106 Datasheet (PDF)

..1. Size:602K supertex
tn0106.pdf

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9.1. Size:730K supertex
tn0104.pdf

Supertex inc. TN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (1.6V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor High input impedance utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low input capacitance silicon-gate manufacturing process. This combination produces Fast switching sp

9.2. Size:163K ape
ap10tn010cmt.pdf

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: