TN0106 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TN0106
Маркировка: 0106'
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 1 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 60 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 0.35 A
Максимальная температура канала (Tj): 125 °C
Время нарастания (tr): 3 ns
Выходная емкость (Cd): 25 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 3 Ohm
Тип корпуса: TO92
TN0106 Datasheet (PDF)
tn0106.pdf
Supertex inc. TN0106N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETGeneral DescriptionFeaturesThis low threshold, enhancement-mode (normally-off) Low threshold - 2.0V max.transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedancewell-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance - 50pF typicalcombination produces a
tn0104.pdf
Supertex inc. TN0104N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold (1.6V max.) This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor High input impedance utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well-proven, Low input capacitance silicon-gate manufacturing process. This combination produces Fast switching sp
ap10tn010cmt.pdf
AP10TN010CMTHalogen-Free ProductAdvanced Power N-CHANNEL ENHANCEMENT MODEElectronics Corp. POWER MOSFET 100% Rg & UIS Test BVDSS 100VD Simple Drive Requirement RDS(ON) 10m Lower On-resistance ID 49AG RoHS Compliant & Halogen-FreeDSDDDescriptionDAP10TN010C series are from Advanced Power innovated designand silicon process technology to achieve the
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
