TN0110 Todos los transistores

 

TN0110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TN0110
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92
 

 Búsqueda de reemplazo de TN0110 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

TN0110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  supertex
 tn0110.pdf pdf_icon

TN0110

Supertex inc. TN0110N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold - 2.0V max. This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs Low input capacitance - 50pF typical well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speeds c

Otros transistores... MEM2402 , MEM4N60THDG , MEM4N60THG , MEM4N60K3G , MEM4N60A3G , MIC94052 , MIC94053 , TN0106 , IRFZ48N , TN0604 , TN0702 , TN2106K1-G , TN2106N3-G , TN2524 , TP2104K1 , TP2104N3 , TP2435 .

History: BL40N25-W | UTT50P10 | APT6038BFLLG

 

 
Back to Top

 


 
.