TN0110 Todos los transistores

 

TN0110 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TN0110

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.35 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 25 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 3 Ohm

Encapsulados: TO92

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TN0110 datasheet

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TN0110

Supertex inc. TN0110 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold - 2.0V max. This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s Low input capacitance - 50pF typical well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speeds c

Otros transistores... MEM2402 , MEM4N60THDG , MEM4N60THG , MEM4N60K3G , MEM4N60A3G , MIC94052 , MIC94053 , TN0106 , STP65NF06 , TN0604 , TN0702 , TN2106K1-G , TN2106N3-G , TN2524 , TP2104K1 , TP2104N3 , TP2435 .

 

 

 

 

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