TN0110 Todos los transistores

 

TN0110 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: TN0110
   Código: 0110'
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 1 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 0.35 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2 V
   Tiempo de subida (tr): 3 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 25 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 3 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO92

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TN0110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  supertex
tn0110.pdf

TN0110
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Supertex inc. TN0110N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold - 2.0V max. This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs Low input capacitance - 50pF typical well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speeds c

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