Справочник MOSFET. TN0110

 

TN0110 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TN0110
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm
   Тип корпуса: TO92
 

 Аналог (замена) для TN0110

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TN0110 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:607K  supertex
 tn0110.pdf pdf_icon

TN0110

Supertex inc. TN0110N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold - 2.0V max. This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs Low input capacitance - 50pF typical well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speeds c

Другие MOSFET... MEM2402 , MEM4N60THDG , MEM4N60THG , MEM4N60K3G , MEM4N60A3G , MIC94052 , MIC94053 , TN0106 , IRFZ48N , TN0604 , TN0702 , TN2106K1-G , TN2106N3-G , TN2524 , TP2104K1 , TP2104N3 , TP2435 .

History: JCS13AN50BC | TPA65R940C | SI4401BDY | 2SK321

 

 
Back to Top

 


 
.