TN0110 - описание и поиск аналогов

 

TN0110. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: TN0110

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.35 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 25 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3 Ohm

Тип корпуса: TO92

Аналог (замена) для TN0110

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TN0110 даташит

 ..1. Size:607K  supertex
 tn0110.pdf pdf_icon

TN0110

Supertex inc. TN0110 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold - 2.0V max. This low threshold, enhancement-mode (normally-off) High input impedance transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s Low input capacitance - 50pF typical well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Fast switching speeds c

Другие MOSFET... MEM2402 , MEM4N60THDG , MEM4N60THG , MEM4N60K3G , MEM4N60A3G , MIC94052 , MIC94053 , TN0106 , STP65NF06 , TN0604 , TN0702 , TN2106K1-G , TN2106N3-G , TN2524 , TP2104K1 , TP2104N3 , TP2435 .

History: IPA60R360P7 | SW3N10 | SI3475DV | SLD65R380E7C | NTTFS4937NTAG | RU8590S | CS10N50A8R

 

 

 

 

↑ Back to Top
.