TN2106K1-G Todos los transistores

 

TN2106K1-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TN2106K1-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.28 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 17 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.5 Ohm

Encapsulados: SOT23

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TN2106K1-G datasheet

 8.1. Size:716K  supertex
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TN2106K1-G

Supertex inc. TN2106 N-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Free from secondary breakdown This low threshold, enhancement-mode (normally-off) Low power drive requirement transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s Ease of paralleling well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low CISS and fast switching spe

 9.1. Size:178K  ixys
 ixtn210p10t.pdf pdf_icon

TN2106K1-G

Advance Technical Information TrenchPTM VDSS = -100V IXTN210P10T Power MOSFET ID25 = - 210A RDS(on) 7.5m trr 200ns P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier miniBLOC E153432 S G Symbol Test Conditions Maximum Ratings S VDSS TJ = 25 C to 150 C -100 V D VDGR TJ = 25 C to 150 C, RGS = 1M

Otros transistores... MEM4N60K3G , MEM4N60A3G , MIC94052 , MIC94053 , TN0106 , TN0110 , TN0604 , TN0702 , IRFZ48N , TN2106N3-G , TN2524 , TP2104K1 , TP2104N3 , TP2435 , 2N7002KWA , 2SK3019A , BSS138A .

History: CS2N70A3R1-G | S10H18RP

 

 

 

 

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