Справочник MOSFET. TN2106K1-G

 

TN2106K1-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TN2106K1-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 17 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.5 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для TN2106K1-G

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TN2106K1-G Datasheet (PDF)

 8.1. Size:716K  supertex
 tn2106.pdf pdf_icon

TN2106K1-G

Supertex inc. TN2106N-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Free from secondary breakdown This low threshold, enhancement-mode (normally-off) Low power drive requirement transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs Ease of paralleling well-proven, silicon-gate manufacturing process. This Low CISS and fast switching spe

 9.1. Size:178K  ixys
 ixtn210p10t.pdf pdf_icon

TN2106K1-G

Advance Technical InformationTrenchPTM VDSS = -100VIXTN210P10TPower MOSFET ID25 = - 210A RDS(on) 7.5m trr 200nsP-Channel Enhancement ModeAvalanche RatedFast Intrinsic RectifierminiBLOCE153432SGSymbol Test Conditions Maximum RatingsSVDSS TJ = 25C to 150C -100 VDVDGR TJ = 25C to 150C, RGS = 1M

Другие MOSFET... MEM4N60K3G , MEM4N60A3G , MIC94052 , MIC94053 , TN0106 , TN0110 , TN0604 , TN0702 , RU7088R , TN2106N3-G , TN2524 , TP2104K1 , TP2104N3 , TP2435 , 2N7002KWA , 2SK3019A , BSS138A .

 

 
Back to Top

 


 
.