TP2104K1 Todos los transistores

 

TP2104K1 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: TP2104K1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.36 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.16 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 22 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 6 Ohm

Encapsulados: SOT23

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TP2104K1 datasheet

 8.1. Size:721K  supertex
 tp2104.pdf pdf_icon

TP2104K1

Supertex inc. TP2104 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description High input impedance and high gain This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s well- Low power drive requirement proven, silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of paralleling produces a dev

 9.1. Size:687K  st
 stp210n75f6.pdf pdf_icon

TP2104K1

STP210N75F6 N-channel 75 V, 3 m , 120 A TO-220 STripFET VI DeepGATE Power MOSFET Features Order code VDSS RDS(on) max ID STP210N75F6 75 V

 9.2. Size:609K  st
 stp210nf02.pdf pdf_icon

TP2104K1

STP210NF02 STB210NF02 STB210NF02-1 N-CHANNEL 20V - 0.0026 - 120A D PAK/I PAK/TO-220 STripFET II POWER MOSFET AUTOMOTIVE SPECIFIC TYPE VDSS RDS(on) ID STB210NF02/-1 20 V

Otros transistores... MIC94053 , TN0106 , TN0110 , TN0604 , TN0702 , TN2106K1-G , TN2106N3-G , TN2524 , IRLB3034 , TP2104N3 , TP2435 , 2N7002KWA , 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW .

History: CMT04N60XN252 | SI2328DS

 

 

 

 

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