Справочник MOSFET. TP2104K1

 

TP2104K1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: TP2104K1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.36 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.16 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 22 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 6 Ohm
   Тип корпуса: SOT23
 

 Аналог (замена) для TP2104K1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

TP2104K1 Datasheet (PDF)

 8.1. Size:721K  supertex
 tp2104.pdf pdf_icon

TP2104K1

Supertex inc. TP2104P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description High input impedance and high gain This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs well- Low power drive requirementproven, silicon-gate manufacturing process. This combination Ease of parallelingproduces a dev

 9.1. Size:687K  st
 stp210n75f6.pdf pdf_icon

TP2104K1

STP210N75F6N-channel 75 V, 3 m, 120 A TO-220STripFET VI DeepGATE Power MOSFETFeaturesOrder code VDSS RDS(on) max IDSTP210N75F6 75 V

 9.2. Size:609K  st
 stp210nf02.pdf pdf_icon

TP2104K1

STP210NF02STB210NF02 STB210NF02-1N-CHANNEL 20V - 0.0026 - 120A DPAK/IPAK/TO-220STripFET II POWER MOSFETAUTOMOTIVE SPECIFICTYPE VDSS RDS(on) IDSTB210NF02/-1 20 V

Другие MOSFET... MIC94053 , TN0106 , TN0110 , TN0604 , TN0702 , TN2106K1-G , TN2106N3-G , TN2524 , 60N06 , TP2104N3 , TP2435 , 2N7002KWA , 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW .

History: BSP230 | PNM8P30V12 | STW13NK100Z

 

 
Back to Top

 


 
.