TP2435 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: TP2435
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 350 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.231 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 20 max nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70 max pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
Encapsulados: SOT89
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TP2435 datasheet
tp2435.pdf
Supertex inc. TP2435 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low threshold This low threshold enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertex s High input impedance well-proven silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitance combination produces a device with the power handling
tp2435.pdf
TP2435 P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FET Features General Description Low Threshold The TP2435 low-threshold Enhancement-mode (normally-off) transistor uses a vertical DMOS structure High Input Impedance and a well-proven silicon gate manufacturing process. Low Input Capacitance This combination produces a device with the power Fast Switching Speeds handling
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History: KI2305DS | AP50T10AGI-HF
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Liste
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MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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