TP2435 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: TP2435
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.231 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.4 V
   trⓘ - Tiempo de subida: 20(max) nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 70(max) pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 15 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT89

Búsqueda de reemplazo de MOSFET TP2435

TP2435 Datasheet (PDF)

..1. Size:617K supertex
tp2435.pdf

Supertex inc. TP2435P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold This low threshold enhancement-mode (normally-off)transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedance well-proven silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitancecombination produces a device with the power handling

..2. Size:290K microchip
tp2435.pdf

TP2435P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETFeatures General Description Low Threshold The TP2435 low-threshold Enhancement-mode(normally-off) transistor uses a vertical DMOS structure High Input Impedanceand a well-proven silicon gate manufacturing process. Low Input CapacitanceThis combination produces a device with the power Fast Switching Speedshandling

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Liste

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