Справочник MOSFET. TP2435

 

TP2435 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: TP2435
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.231 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 20(max) ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 70(max) pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
   Тип корпуса: SOT89

 Аналог (замена) для TP2435

 

 

TP2435 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:617K  supertex
 tp2435.pdf

TP2435 TP2435

Supertex inc. TP2435P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold This low threshold enhancement-mode (normally-off)transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedance well-proven silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitancecombination produces a device with the power handling

 ..2. Size:290K  microchip
 tp2435.pdf

TP2435 TP2435

TP2435P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETFeatures General Description Low Threshold The TP2435 low-threshold Enhancement-mode(normally-off) transistor uses a vertical DMOS structure High Input Impedanceand a well-proven silicon gate manufacturing process. Low Input CapacitanceThis combination produces a device with the power Fast Switching Speedshandling

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top