TP2435 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: TP2435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.231 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 20(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70(max) pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
Тип корпуса: SOT89
TP2435 Datasheet (PDF)
tp2435.pdf
Supertex inc. TP2435P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold This low threshold enhancement-mode (normally-off)transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedance well-proven silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitancecombination produces a device with the power handling
tp2435.pdf
TP2435P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETFeatures General Description Low Threshold The TP2435 low-threshold Enhancement-mode(normally-off) transistor uses a vertical DMOS structure High Input Impedanceand a well-proven silicon gate manufacturing process. Low Input CapacitanceThis combination produces a device with the power Fast Switching Speedshandling
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: IXTA02N250 | FIR12N80FG
History: IXTA02N250 | FIR12N80FG
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918