TP2435 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: TP2435
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 350 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.231 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 20(max) ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 70(max) pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 15 Ohm
Тип корпуса: SOT89
Аналог (замена) для TP2435
TP2435 Datasheet (PDF)
tp2435.pdf

Supertex inc. TP2435P-Channel Enhancement-ModeVertical DMOS FETFeatures General Description Low threshold This low threshold enhancement-mode (normally-off)transistor utilizes a vertical DMOS structure and Supertexs High input impedance well-proven silicon-gate manufacturing process. This Low input capacitancecombination produces a device with the power handling
tp2435.pdf

TP2435P-Channel Enhancement-Mode Vertical DMOS FETFeatures General Description Low Threshold The TP2435 low-threshold Enhancement-mode(normally-off) transistor uses a vertical DMOS structure High Input Impedanceand a well-proven silicon gate manufacturing process. Low Input CapacitanceThis combination produces a device with the power Fast Switching Speedshandling
Другие MOSFET... TN0110 , TN0604 , TN0702 , TN2106K1-G , TN2106N3-G , TN2524 , TP2104K1 , TP2104N3 , IRF520 , 2N7002KWA , 2SK3019A , BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 .
History: PMV65UN | SDF220



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP20G03GD | AP200N15TLG1 | AP200N15MP | AP200N10MP | AP200N04TLG5 | AP200N04NF | AP1N10I | AP18P20P | AP18N03D | AP180N10MP | AP180N04NF | AP180N03D | AP16P02S | AP16P01BF | AP15P10D | AP15P06DF
Popular searches
2g381 transistor | 2sc2383 transistor equivalent | 2sd669 transistor | 75n65kdf | c2274 transistor | c5200 2sc5200 transistor datasheet | d2390 datasheet | 2sa750 replacement