STP32N06LFI Todos los transistores

 

STP32N06LFI MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: STP32N06LFI

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 15 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 19 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 430 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 320 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: ISOWATT220

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STP32N06LFI datasheet

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STP32N06LFI

STP32N06L STP32N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP32N06L 60 V

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STP32N06LFI

STP32N06L STP32N06LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE V R I DSS DS(on) D STP32N06L 60 V

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STP32N06LFI

STP32N05L STP32N05LFI N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR TYPE VDSS RDS(on) ID STP32N05L 50 V

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