Справочник MOSFET. STP32N06LFI

 

STP32N06LFI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STP32N06LFI
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.5 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 25 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 430 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: ISOWATT220
 

 Аналог (замена) для STP32N06LFI

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

STP32N06LFI Datasheet (PDF)

 5.1. Size:393K  st
stp32n06l.pdfpdf_icon

STP32N06LFI

STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N06L 60 V

 6.1. Size:201K  st
stp32n06.pdfpdf_icon

STP32N06LFI

STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP32N06L 60 V

 7.1. Size:393K  st
stp32n05l.pdfpdf_icon

STP32N06LFI

STP32N05LSTP32N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N05L 50 V

Другие MOSFET... STP2N80FI , STP30N05 , STP30N05FI , STP30N06 , STP30N06FI , STP32N05L , STP32N05LFI , STP32N06L , 2N60 , STP33N10 , STP33N10FI , STP36N05L , STP36N05LFI , STP36N06 , STP36N06FI , STP36N06L , STP36N06LFI .

 

 
Back to Top

 


 
.