STP32N06LFI Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: STP32N06LFI
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 40 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 15 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 19 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
trⓘ - Время нарастания: 430 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 320 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: ISOWATT220
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
STP32N06LFI Datasheet (PDF)
stp32n06l.pdf
STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N06L 60 V
stp32n06.pdf
STP32N06LSTP32N06LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE V R IDSS DS(on) DSTP32N06L 60 V
stp32n05l.pdf
STP32N05LSTP32N05LFIN - CHANNEL ENHANCEMENT MODEPOWER MOS TRANSISTORTYPE VDSS RDS(on) IDSTP32N05L 50 V
Другие MOSFET... STP2N80FI , STP30N05 , STP30N05FI , STP30N06 , STP30N06FI , STP32N05L , STP32N05LFI , STP32N06L , K2611 , STP33N10 , STP33N10FI , STP36N05L , STP36N05LFI , STP36N06 , STP36N06FI , STP36N06L , STP36N06LFI .
History: SQ2361ES | 4N65KL-T2Q-R | MTC5806Q8 | IRLR3636TRPBF | TK3A60DA | TMD7N65H
History: SQ2361ES | 4N65KL-T2Q-R | MTC5806Q8 | IRLR3636TRPBF | TK3A60DA | TMD7N65H
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc2240bl | 2sc1913 | c2314 transistor | c2482 transistor | 2sc1222 replacement | 2sa725 | c5242 transistor | 2sa726 replacement