MCAC40N10YA Todos los transistores

 

MCAC40N10YA MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCAC40N10YA

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 70 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 40 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 21.4 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 259 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm

Encapsulados: DFN5060

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MCAC40N10YA datasheet

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MCAC40N10YA

MCAC40N10YA Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 100 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=80V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A 2 4 V Gate-Threshold Voltage(Note 2 VGS(th) VDS

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MCAC40N10YA

MCAC40N10YA Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 100 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=80V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A 2 4 V Gate-Threshold Voltage(Note 2 VGS(th) VDS

Otros transistores... BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 , MCAC20N15 , MCAC30N06Y , IRF730 , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , MCG04N10A , MCG10P03 .

History: AOB2144L | SM1A11NSK | WMN28N65F2

 

 

 

 

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