Справочник MOSFET. MCAC40N10YA

 

MCAC40N10YA Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCAC40N10YA
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 70 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 40 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 21.4 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 259 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для MCAC40N10YA

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC40N10YA Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1668K  mcc
 mcac40n10ya.pdf pdf_icon

MCAC40N10YA

MCAC40N10YAElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 100 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=80V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 A2 4 VGate-Threshold Voltage(Note 2 VGS(th) VDS

 0.1. Size:1668K  1
 mcac40n10ya-tp.pdf pdf_icon

MCAC40N10YA

MCAC40N10YAElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 100 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=80V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 A2 4 VGate-Threshold Voltage(Note 2 VGS(th) VDS

Другие MOSFET... BSS138A , BSS138AKDW , BSS84A , BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 , MCAC20N15 , MCAC30N06Y , BS170 , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , MCG04N10A , MCG10P03 .

History: BUK7Y41-80E | 2SK2912L | AP18P10AGH | 2SK2764-01R | TK4P50D | AP9565BGH-HF | AP9965GEJ

 

 
Back to Top

 


 
.