MCAC60N08Y Todos los transistores

 

MCAC60N08Y MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCAC60N08Y

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 60 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 337 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0078 Ohm

Encapsulados: DFN5060

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MCAC60N08Y datasheet

 ..1. Size:1538K  mcc
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MCAC60N08Y

MCAC60N08Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 80 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=64V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A Gate-Threshold Voltage 2

 0.1. Size:1538K  1
 mcac60n08y-tp.pdf pdf_icon

MCAC60N08Y

MCAC60N08Y Electrical Characteristics @ 25 C (Unless Otherwise Specified) Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max Unit Static Characteristics V(BR)DSS VGS=0V, ID=250 A Drain-Source Breakdown Voltage 80 V IGSS VDS=0V, VGS = 20V Gate-Source Leakage Current 100 nA IDSS VDS=64V, VGS=0V Zero Gate Voltage Drain Current 1 A VGS(th) VDS=VGS, ID=250 A Gate-Threshold Voltage 2

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History: PMV185XN | IRFF9233 | SM1A11NSK | LP0701N3 | 2SK559 | IRFZ22FI | 2SK4068-01

 

 

 

 

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