Справочник MOSFET. MCAC60N08Y

 

MCAC60N08Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCAC60N08Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 60 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 337 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0078 Ohm
   Тип корпуса: DFN5060
 

 Аналог (замена) для MCAC60N08Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCAC60N08Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1538K  mcc
 mcac60n08y.pdf pdf_icon

MCAC60N08Y

MCAC60N08YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 80 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=64V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshold Voltage 2

 0.1. Size:1538K  1
 mcac60n08y-tp.pdf pdf_icon

MCAC60N08Y

MCAC60N08YElectrical Characteristics @ 25C (Unless Otherwise Specified)Parameter Symbol Test Conditions Min Typ Max UnitStatic CharacteristicsV(BR)DSS VGS=0V, ID=250ADrain-Source Breakdown Voltage 80 VIGSS VDS=0V, VGS =20VGate-Source Leakage Current 100 nAIDSS VDS=64V, VGS=0VZero Gate Voltage Drain Current 1 AVGS(th) VDS=VGS, ID=250AGate-Threshold Voltage 2

Другие MOSFET... BSS84KW , MCAC10H03 , MCAC16N03 , MCAC20N15 , MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , IRF740 , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 , MCG20N08 , MCG30N03 .

History: 10N65KG-TF2-T | 2SK3212 | SQ4282EY | 19N10G-TF1-T | 10N65KL-TM3-T | IRFP26N60LPBF | BLM08N06-P

 

 
Back to Top

 


 
.