MCB160N10Y Todos los transistores

 

MCB160N10Y MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCB160N10Y

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 223 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 160 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 59 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 818 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.004 Ohm

Encapsulados: TO263

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MCB160N10Y datasheet

 ..1. Size:1286K  mcc
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MCB160N10Y

MCB160N10Y Features Split Gate Trench MOSFET Technology Excellent Package for Heat Dissipation High Density Cell Design for Low RDS(on) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See O

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History: SI4953DY | SSH4N90AS | KI8810DY | IXFN26N90 | KI8810T

 

 

 

 

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