Справочник MOSFET. MCB160N10Y

 

MCB160N10Y Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCB160N10Y
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 105 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 818 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm
   Тип корпуса: TO263
 

 Аналог (замена) для MCB160N10Y

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCB160N10Y Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1286K  mcc
 mcb160n10y.pdf pdf_icon

MCB160N10Y

MCB160N10YFeatures Split Gate Trench MOSFET Technology Excellent Package for Heat Dissipation High Density Cell Design for Low RDS(on) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See O

Другие MOSFET... MCAC20N15 , MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , IRF540 , MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 , MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 .

History: 2SK3822B

 

 
Back to Top

 


 
.