MCB160N10Y - описание и поиск аналогов

 

MCB160N10Y. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCB160N10Y

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 223 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 160 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 59 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 818 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO263

Аналог (замена) для MCB160N10Y

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCB160N10Y даташит

 ..1. Size:1286K  mcc
 mcb160n10y.pdf pdf_icon

MCB160N10Y

MCB160N10Y Features Split Gate Trench MOSFET Technology Excellent Package for Heat Dissipation High Density Cell Design for Low RDS(on) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See O

Другие MOSFET... MCAC20N15 , MCAC30N06Y , MCAC40N10YA , MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , IRF540N , MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 , MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 .

History: FX6KMJ-06 | WMN25N65EM | SM1A11NSK | LP0701N3 | 2SK559 | 20N3LG-TO251 | 2SK4068-01

 

 

 

 

↑ Back to Top
.