MCB160N10Y MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: MCB160N10Y
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 223 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 160 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 105 nC
Время нарастания (tr): 59 ns
Выходная емкость (Cd): 818 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.004 Ohm
Тип корпуса: TO263
Аналог (замена) для MCB160N10Y
MCB160N10Y Datasheet (PDF)
..1. Size:1286K mcc
mcb160n10y.pdf
mcb160n10y.pdf
MCB160N10YFeatures Split Gate Trench MOSFET Technology Excellent Package for Heat Dissipation High Density Cell Design for Low RDS(on) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See O
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: YJB150N06BQ
