MCG16N15 Todos los transistores

 

MCG16N15 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCG16N15

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 41 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 150 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 16 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 25.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 19.7 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 80 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.052 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN3333

Búsqueda de reemplazo de MOSFET MCG16N15

 

MCG16N15 Datasheet (PDF)

0.1. mcg16n15.pdf Size:1119K _mcc

MCG16N15
MCG16N15

MCG16N15Features Split Gate Trench MOSFET Technology Low Thermal Resistance Halogen Free. Green Device (Note 1) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150C Storage Te

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