MCG16N15 - описание и поиск аналогов

 

MCG16N15. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: MCG16N15

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 41 W

|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 16 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 19.7 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.052 Ohm

Тип корпуса: DFN3333

Аналог (замена) для MCG16N15

- подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCG16N15 даташит

 ..1. Size:1119K  mcc
 mcg16n15.pdf pdf_icon

MCG16N15

MCG16N15 Features Split Gate Trench MOSFET Technology Low Thermal Resistance Halogen Free. Green Device (Note 1) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) MOSFET Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range -55 C to +150 C Storage Te

Другие MOSFET... MCAC50N06Y , MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , MCG04N10A , MCG10P03 , IRFP460 , MCG20N08 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , MCMN2012 , MCP07N65 , MCP20N70 .

 

 

 


 
↑ Back to Top
.