MCG20N08 Todos los transistores

 

MCG20N08 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCG20N08

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 20.8 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 80 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 20 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de compuerta (Qg): 24 nC

Tiempo de elevación (tr): 26 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 202 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.012 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN3333

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MCG20N08 Datasheet (PDF)

0.1. mcg20n08.pdf Size:1184K _mcc

MCG20N08
MCG20N08

MCG20N08Features Split Gate Trench MOSFET Technology Low Thermal Resistance Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150

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