Справочник MOSFET. MCG20N08

 

MCG20N08 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: MCG20N08

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 20.8 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 80 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 20 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 24 nC

Время нарастания (tr): 26 ns

Выходная емкость (Cd): 202 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.012 Ohm

Тип корпуса: DFN3333

Аналог (замена) для MCG20N08

 

 

MCG20N08 Datasheet (PDF)

0.1. mcg20n08.pdf Size:1184K _mcc

MCG20N08 MCG20N08

MCG20N08Features Split Gate Trench MOSFET Technology Low Thermal Resistance Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top