MCG20N08 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MCG20N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 202 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: DFN3333
Аналог (замена) для MCG20N08
MCG20N08 Datasheet (PDF)
mcg20n08.pdf

MCG20N08Features Split Gate Trench MOSFET Technology Low Thermal Resistance Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150
Другие MOSFET... MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 , IRFZ44 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , MCMN2012 , MCP07N65 , MCP20N70 , MCPF07N65 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT028N10P | MPT023N10T | MPT012N08T | MPG90N08S | MPG90N08P | MPG80N06P | MPG60NF06P | MPG60N10P | MPG40N10P | MPG30N10P | MPG30N06P | MPG200N08S | MPG200N08P | MPG180N10S | MPG180N10P | MDT08N06D
Popular searches
mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509