MCG20N08 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MCG20N08  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 202 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm

Тип корпуса: DFN3333

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MCG20N08

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCG20N08 даташит

 ..1. Size:1184K  mcc
 mcg20n08.pdf pdf_icon

MCG20N08

MCG20N08 Features Split Gate Trench MOSFET Technology Low Thermal Resistance Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Ordering Information) MOSFET Maximum Ratings Operating Junction Temperature Range -55 C to +150

Другие IGBT... MCAC50N10Y, MCAC60N08Y, MCAC75N02, MCAC80N045Y, MCB160N10Y, MCG04N10A, MCG10P03, MCG16N15, IRFB4110, MCG30N03, MCG30N03A, MCG40N03, MCG50N03, MCMN2012, MCP07N65, MCP20N70, MCPF07N65