MCG20N08 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: MCG20N08
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 20.8 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 20 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 202 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.012 Ohm
Тип корпуса: DFN3333
Аналог (замена) для MCG20N08
MCG20N08 Datasheet (PDF)
mcg20n08.pdf

MCG20N08Features Split Gate Trench MOSFET Technology Low Thermal Resistance Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" N-CHANNEL Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Ordering Information)MOSFETMaximum Ratings Operating Junction Temperature Range : -55C to +150
Другие MOSFET... MCAC50N10Y , MCAC60N08Y , MCAC75N02 , MCAC80N045Y , MCB160N10Y , MCG04N10A , MCG10P03 , MCG16N15 , IRF640 , MCG30N03 , MCG30N03A , MCG40N03 , MCG50N03 , MCMN2012 , MCP07N65 , MCP20N70 , MCPF07N65 .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
mj15025g | ksa1381 replacement | m3056m mosfet | skd502t mosfet | tip 35 transistor | bu2508df | 2n2222a transistor equivalent | 2sc2509