MCG50N03 Todos los transistores

 

MCG50N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: MCG50N03

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 30 W

Tensión drenaje-fuente |Vds|: 30 V

Tensión compuerta-fuente |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de compuerta (Qg): 52.8 nC

Tiempo de elevación (tr): 15.5 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 435 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.006 Ohm

Empaquetado / Estuche: DFN3333

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MCG50N03 Datasheet (PDF)

0.1. mcg50n03.pdf Size:513K _mcc

MCG50N03
MCG50N03

MCG50N03Features Trench Power LV MOSFET Technology Excellent Package for Heat Dissipation High Density Cell Design for Low RDS(on) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Order

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