MCG50N03 Todos los transistores

 

MCG50N03 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: MCG50N03
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 15.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 435 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.006 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3333
 

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MCG50N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  mcc
 mcg50n03.pdf pdf_icon

MCG50N03

MCG50N03Features Trench Power LV MOSFET Technology Excellent Package for Heat Dissipation High Density Cell Design for Low RDS(on) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Order

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History: GSM3406AS | TK35A65W5 | UT3N06G-TM3-T | BLM08N06-E

 

 
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