Справочник MOSFET. MCG50N03

 

MCG50N03 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: MCG50N03
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   trⓘ - Время нарастания: 15.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm
   Тип корпуса: DFN3333
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

MCG50N03 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:513K  mcc
 mcg50n03.pdf pdf_icon

MCG50N03

MCG50N03Features Trench Power LV MOSFET Technology Excellent Package for Heat Dissipation High Density Cell Design for Low RDS(on) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Order

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: 2SJ365 | BF964S | IXFK48N50 | BSC032N03SG | LNE10N65 | AON6996 | NX3008NBKT

 

 
Back to Top

 


 
.