MCG50N03 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: MCG50N03  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 30 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 15.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 435 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.006 Ohm

Тип корпуса: DFN3333

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для MCG50N03

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

MCG50N03 даташит

 ..1. Size:513K  mcc
 mcg50n03.pdf pdf_icon

MCG50N03

MCG50N03 Features Trench Power LV MOSFET Technology Excellent Package for Heat Dissipation High Density Cell Design for Low RDS(on) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1 MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHS Compliant. See Order

Другие IGBT... MCB160N10Y, MCG04N10A, MCG10P03, MCG16N15, MCG20N08, MCG30N03, MCG30N03A, MCG40N03, 2N7002, MCMN2012, MCP07N65, MCP20N70, MCPF07N65, MCQ03N06, MCQ15N10B, MCQ15N10Y, MCQ4407