Справочник MOSFET. MCG50N03

 

MCG50N03 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: MCG50N03

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 2.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 50 A

Максимальная температура канала (Tj): 175 °C

Общий заряд затвора (Qg): 52.8 nC

Время нарастания (tr): 15.5 ns

Выходная емкость (Cd): 435 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.006 Ohm

Тип корпуса: DFN3333

Аналог (замена) для MCG50N03

 

 

MCG50N03 Datasheet (PDF)

0.1. mcg50n03.pdf Size:513K _mcc

MCG50N03 MCG50N03

MCG50N03Features Trench Power LV MOSFET Technology Excellent Package for Heat Dissipation High Density Cell Design for Low RDS(on) Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating N-CHANNEL Moisture Sensitivity Level 1MOSFET Halogen Free Available Upon Request By Adding Suffix "-HF" Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix Designates RoHSCompliant. See Order

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top